為了深入灌輸員工的思想，進(jìn)一步深化"四個(gè)宗旨”，加強我司服務(wù)的優(yōu)質(zhì)和態(tài)度，加強我司質(zhì)量的過(guò)關(guān)和卓越，加強我司價(jià)格的優(yōu)惠和福利，加強我司規模的龐大和更新。從2月份開(kāi)始，集中開(kāi)展了這次UVCLED的工作，各單位高度重視，周密安排，在組織UVCLED的各項工作后，公司提高了思想境界和業(yè)務(wù)素質(zhì)，促進(jìn)了以客戶(hù)是上帝的宗旨為中心的重要理念。

 

紫外LED依據波長(cháng)通?？梢詣澐譃閁VALED(320nm-4-0nm)、 UVBLED (280-320nm)UVCLED (200-28Onm)以及VUVLED (10-200nm)。UVC屬于不可見(jiàn)光，能破壞細菌或病毒的脫氧核糖核酸〈(Deoxyribonucleic Acid，DNA）或核糖核酸(RbonucleicAcid ,RNA),從而實(shí)現殺菌消毒的效果。在今年新冠肺炎疫情爆發(fā)的背景下，UVCLED產(chǎn)業(yè)迎來(lái)了蓬勃發(fā)展，但是很多人在使用UVCLED產(chǎn)品時(shí)卻發(fā)現本來(lái)應該看不到光線(xiàn)的UVC LED仍然發(fā)射出微弱的紫光，且每個(gè)器件之間的發(fā)光亮度也并不一致。

 

要解釋上述問(wèn)題，就要從紫外LED的工作原理開(kāi)始說(shuō)起，典型的UVCLED芯片結構如圖一所示，可分為外延層和襯底兩大部分，其中外延層又可以細分為緩沖層、n型層、有源區、p型層和電極。而UVCLED的發(fā)光波長(cháng)由有源區材料的能帶帶隙決定，三族氮化物半導體材料氮化鐐(GaN)、氮化鋁(AN)及氮化錮(InN)均為直接帶隙半導體材料，禁帶寬度分別為3.43，6.4，0.65eV，通過(guò)調節其合金成分，可以實(shí)現200-400nm紫外波段的發(fā)光光譜，如圖二所示，從而使得三族氮化物成為目前制備紫外LED的理想半導體材料。波長(cháng)為275nm的UVCLED的發(fā)光材料為AlyGa1-.N三元混晶，且A組分高達47%，然而高A組分的氮化物半導體外延技術(shù)仍不成熟，存在基底與AIGaN的晶格失配問(wèn)題、A組分外延過(guò)程中的低遷移率問(wèn)題和量子阱中Al組分壘區空穴與電子復合效率低的問(wèn)題;同時(shí)，空穴注入層中的p型Mg摻雜電離能太高導致了有效空穴密度不足。以上幾個(gè)問(wèn)題不僅導致了芯片量子效率的下降，同時(shí)將引起芯片電致發(fā)光光譜中出現可見(jiàn)光波段的寄生譜峰，即點(diǎn)亮UVCLED器件后能看到微弱的紫光的問(wèn)題。

 

如圖下圖所示，芯片主波長(cháng)為275nm，但是在主峰兩側仍存在高度較低的寄生譜峰。計算后可得，芯片的光功率為2.835mW，但是在波長(cháng)入>30nm的可見(jiàn)光區域仍存在0.124mW的光功率，占總光功率的4.37%，因此使用該芯片制作的UVCLED產(chǎn)品使用時(shí)能看到微弱的紫光。同時(shí)，由于芯片在制造過(guò)程中A組分摻雜時(shí)的缺陷程度不同，導致寄生譜峰的光功率也并不一致，因此不同燈珠之間的可見(jiàn)紫光亮度也存在差異。